Aufbautechnik

Elektrische Durchführungen

Das ISIT hat zwei unterschiedliche Technologien für elektrische Stromdurchführungen (Via) für die Mikrosystemtechnik und Mikroelektronik entwickelt. Durchführungen in Glaswafern eignen sich besonders für optische MEMS Aufbauten und Hochfrequenzschaltungen. Trockengeätzte Vias in Siliziumwafern erlauben dageben höhere Viadichten. Beide Technologien erzeugen hermetisch dichte Durchführungen auf 200 mm Wafern. Sie können mit einer Umverdrahtung und Bekugelung kombiniert werden. Die Waferdicken bewegen sich im Bereich 300 µm bis 600 µm. Basierend auf diesen Vorentwicklungen können kundenspezifische Lösungen entwickelt werden.