IC-Technologie

Leistungselektronik für regenerative Energieversorgung.

IGBTs

Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist das wichtigste Halbleiter-Leistungsbauelement für Anwendungen im mittleren Leistungsbereich.

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PowerMOS

Weiterentwicklung von PowerMOS.

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Leistungsdioden

KundenspezifischesTechnologiekonzept mit Prozess- und Bauelementesimulation.

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Elektrische Charakterisierung

Auf Wafer-, PCB- und Modulebene.

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Prozesstechnologie

Breites Spektrum modernster Halbleiterprozesse.

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IC -Technologie

Die Abteilung IC-Technologie entwickelt und fertigt mikroelektronische Komponenten, diskrete Leistungshalbleiter sowie passive Bauelemente.

Das ISIT betreibt zusammen mit Vishay Semiconductor Itzehoe GmbH eine moderne  Halbleiterproduktionslinie für 200 mm Si-Wafer. Diese Linie wird von Vishay für die Produktion von Leistungsbauelementen (PowerMOS und IGBT) und vom ISIT für Entwicklungsprojekte genutzt.

Auf dem Gebiet diskreter Leistungshalbleiter konzentriert sich das ISIT auf die Entwicklung von IGBTs, PowerMOS-Transistoren und Dioden. Hierbei wird die Entwicklung anwendungsspezifischer Leistungsbauelemente über die gesamte Prozesskette vom Entwurf bis zur Kleinserienfertigung, einschließlich Bauelemente-Simulation und elektrische Charakterisierung, unterstützt.

Im Bereich der passiven Bauelemente stehen die Entwicklung und Herstellung von Widerständen, Kondensatoren und Spulen hoher Präzision auf Chip-Ebene im Vordergrund.

Auf Basis einer qualifizierten Produktionstechnologie verfügt das ISIT über ein breites Spektrum modernster Halbleiterprozesse, die für unterschiedliche Entwicklungsaufgaben eingesetzt werden. Hervorzuheben ist die Technologie zur Bearbeitung ultradünner Substrate (< 50 µm) sowie die Dotierstoffaktivierung mittels Laser-Aktivierung. Des Weiteren bietet das ISIT spezielle Metallisierungsverfahren für fortschrittliche Aufbautechniken an.

Haben Sie weitere Anforderungen – dann sprechen Sie mit uns!