IC Technologie

Elektrische Charakterisierung

Das ISIT verfügt über eine professionelle Messtechnik zur elektrischen Charakterisierung von Halbleiterbauelementen auf Wafer-,  PCB- und Modulebene.

Hierbei werden alle gängigen Verfahren zur statischen und  dynamischen Charakterisierung durchgeführt. Für die Fehleranalyse und Lokalisierung von Schwachstellen wird modernste Lock-In IR-Mikrothermographie eingesetzt.

Strukturuntersuchungen für die Fehleranalyse mittels SEM und FIB sind weitere Methoden der  Charakterisierung von Halbleiterbauelementen, die vom ISIT angeboten werden.