IC Technologie

IGBTs

Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist das wichtigste Halbleiter-Leistungsbauelement für Anwendungen im mittleren Leistungsbereich für Spannungen > 400 V. Um seine Effizienz bzgl. Schalt- und Durchlassverhalten zu verbessern, konzentriert sich das ISIT auf die Entwicklung von ultradünnen Feldstopp IGBTs. Ein weiterer Aspekt ist die Anpassung an fortschrittliche Assemblierungstechniken