IC Technologie

PowerMOS

Die Weiterentwicklung von PowerMOS Transistoren ist ein thematischer Schwerpunkt des ISIT, wobei insbesondere Hochvolt-Kompensationsbauelemente nach dem Superjunction Prinzip hervorzuheben sind. Neue Device-Architekturen und Prozesstechnologien sind hierbei von besonderer Bedeutung.

Systemspezifische PowerMOS Bauelemente, passend zur jeweiligen Anwendung, sind die Voraussetzung zur Steigerung der Effizienz und Zuverlässigkeit leistungselektronischer Systeme. In Verbindung mit neuen Assemblierungstechniken ergeben sich erhebliche Vorteile im Hinblick auf Robustheit und Lebensdauer des Gesamtsystems.