Mikrosystemtechnik

Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)

Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
Technische Daten

  • Prozesstemperatur von ≤540°C
  • Prozesskammer:
    - Zwei Silan-Kammern (A+C)
    - Eine TEOS-Kammer (B)
  • Gase Silan-Kammer: SiH2, N2O, NH3, N2, He, Ar, NF3, PH4 + B2H physikalisch angeschlossen, jedoch bisher keine Prozesse
  • Gase TEOS-Kammer: TEOS, He, O2, Ar, NF3

 


Schichten

  • Silanbasierte Prozesse:
    - Silizium-Oxid
    - Silizium-Oxi-Nitrid
    - Silizium-Nitrid
    - Amorphes Silizium
  • TEOS basierte Prozesse:
    - Silizium-Oxid
  • ISIT Erweiterung
    - BPSG / Flow Glass
    - Doped a-Si: / Bor & Phosphor dotiertes amorphes Silizium