IGBTs

Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist das wichtigste Halbleiter-Leistungsbauelement für Anwendungen im mittleren Leistungsbereich.

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PowerMOS

Weiterentwicklung von PowerMOS.

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Leistungsdioden

Kundenspezifisches Technologiekonzept mit Prozess- und Bauelementesimulation.

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Elektrische Charakterisierung

Auf Wafer-, PCB- und Modulebene.

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Prozesstechnologie

Breites Spektrum modernster Halbleiterprozesse.

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Hocheffiziente Leistungstransistoren

 

Das ISIT unterstützt die stetig fortschreitende Miniaturisierung leistungselektronischer Anwendungen bei gleichzeitiger Steigerung der Leistungsdichte auf System- und Bauteilebene und bietet die Entwicklung von Komponenten wie anwendungsspezifischen PowerMOS-Transistoren, IGBTs und Dioden auf Siliziumbasis mit Sperrfähigkeiten von bis zu 1200V sowie hocheffizienter Leistungstransistoren und Dioden auf Basis von Galliumnitrid mit hervorragenden elektrischen Eigenschaften und Schaltgeschwindigkeiten bis in den ns-Bereich. Die applikationsspezifische Auslegung der Bauelemente sowie die Entwicklung neuer Device-Architekturen sind ein besonderer F&E Schwerpunkt. Das Fraunhofer ISIT entwickelt angepasste Bauelementstrukturen mit speziellen Pad-Konfigurationen und Spezial-Metallisierungen wie z.B. Ni/Au für fortschreitende Integrationskonzepte. Neuartige Trägerkonzepte und Laserbearbeitungsprozesse sind für die Rückseitenbearbeitung ultradünner Substrate verfügbar und die kundenspezifische Optimierung statischer und dynamischer Parameter bei gleichzeitiger Verbesserung der Robustheit der Bauteile. Für die Systemintegration von passiven elektronischen Komponenten bietet das Fraunhofer ISIT die Entwicklung von Chip-Kondensatoren, Präzisionswiderständen und Induktivitäten sowie entsprechender Schaltungs-Netzwerke auf Chip-Ebene. Hierbei verfügt das ISIT auf die gesamte Entwicklungskette von der Simulation und dem Entwurf über die Entwicklung von Einzelprozessen und vollständiger Prozessabläufe auf 8“-Fertigungsequipment und zahlreicher Testwerkzeuge.