Wafer-Level Packaging

Die Herstellung von Kappenwafern aus Silizium und Glas, verschiedene Waferbondprozesse, sowie der patentierte „Neon Ultra-Feinlecktest“ bilden den Baukasten für das Wafer-Level Packaging.

mehr Info

Heißviskose Formgebung von Glasstrukturen

Die heiß viskose Abformung von Siliziumkavitäten mit Glas ermöglicht die Herstellung von Kappen und Linsen.

mehr Info

Einzelprozesse

Das ISIT bietet seinen Kunden neben einer vollständigen Prozesskette auch die Möglichkeit nur einzelne Prozesse in Anspruch zu nehmen.

mehr Info

Wafer-Level Packaging und Prozesse

Das ISIT verfügt über eine moderne 200 mm Reinraumlinie für die Entwicklung und Herstellung von Mikrosystemen aus Silizium und Glas. Durch die langjährige Erfahrung in der Entwicklung  und Produktion von MEMS und MOEMS Komponenten verfügt das ISIT über ein breites Portfolio an ausgereiften Einzelprozessen, sowie verschiedenen Prozessplattformen. Durch eine Adaption der bestehenden Prozesse an die jeweiligen Kundenanforderungen können kurzfristig individuelle Lösungen realisiert und in eine Pilotfertigung  überführt werden.

Eine der großen Herausforderungen bei der Herstellung von mikromechanischen und mikrooptischen Systemen auf Waferebene ist die hermetische Kapselung der Bauelemente. Im Rahmen der allgemeinen Miniaturisierung werden die traditionellen Gehäuse aus Metall oder Keramik zunehmend durch Kappen aus Silizium und Glas ersetzt, die bereits auf Waferebene hermetisch mit dem Bauelement verbunden werden. Als einer der führenden Entwicklungsdienstleister auf dem Gebiet des Wafer-Level Packagings verfügt das ISIT über einen großen Baukasten an Prozessen zur Realisierung vielfältiger Kappenwafer aus Glas und Silizium und deren Verbindung zum Substrat.

Eine Spezialität des ISIT ist die Herstellung von Linsen und Glaskappen mit einem patentierten Glasfließprozess. Je nach Anwendung können sphärische oder planare Oberflächen mit hoher optischer Güte hergestellt werden, wobei die Neigung der planaren Oberflächen frei eingestellt werden kann.