Titel - Suche
Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie
Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie
Aktuelles
Veranstaltungen
ISIT auf Messen
Stellenangebote
Publikationen
English
Institutsprofil
[X]
Institutsprofil
Kurzportrait
Kooperieren mit Fraunhofer ISIT
Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland
Netzwerk Leistungselektronik Schleswig-Holstein
Leistungselektronik
[X]
Leistungselektronik
Hocheffiziente Leistungstransistoren
IGBTs
PowerMOS
Leistungsdioden
Elektrische Charakterisierung
Prozesstechnologie
Leistungselektronik für Regenerative Energiesysteme
Leistungselektronische-Systeme
Batteriesysteme für Spezialanwendungen
Kurzportrait
Ausstattung
Angebote
Mikro-Fertigungsverfahren
[X]
Mikro-Fertigungsverfahren
Wafer-Level Packaging und Prozesse
Wafer-Level Packaging
Kappenwafer
Glas-Fritt Bonden
Eutektisches Bonden
Anodisches Bonden
Neon Ultra-Feinlecktest
Heißviskose Formgebung von Glasstrukturen
Einzelprozesse
Prozessintegration und Pilotfertigung
Polysilizium Technologieplattform
Drehratensensoren / Inertialsensoren
Post-CMOS Integration
Pilotfertigung / Prototyping
Modul-Services
Modulintegration
Back-End Technologien
Stresskontrollierter Aufbau
Ultradünne Dies
Embedded Die
MEMS-Module
Leistungsmodule
Chip Size Packaging
Bumping und Balling
Under-Bump Metallisierung (UBM)
Elektrische Durchführungen
Versiegelungsrahmen
Testwafer und Substrate
Silizium Wafer
Glas Wafer
Testsubstrate
Qualität und Zuverlässigkeit
Elektronische Bauelemente und Baugruppen
Leistungselektronik, Bauelemente und Module
Applikationszentrum für Prozesstechnik in der Baugruppenfertigung
Verfügbare Technologien
MEMS-Anwendungen
[X]
MEMS-Anwendungen
Optische Systeme
3D-Kamera
Laser-Materialbearbeitung
Akustische Systeme und Mikroantriebe
In-Ear-Speaker
Ultraschallwandler
MEMS Energy-Harvesting
Technologie
[X]
Technologie
Leistungselektronik
Halbleitertechnologie für Leistungsbauelemente
Vertikale GaN-Leistungshalbleiter auf 8“ Substraten
Laserannealing
Bonder und Debonder
SEM- und FIB Analytik
Lock-In IR Thermografie
Leistungselektronische Systeme
Finite-Elemente-Methode (FEM) Simulationen
Hardware Entwicklung
Automatisierter Doppelpulsmessplatz
Stromrichter Prüfstand
Thermografie
Rapid Control Prototyping
Akkumulatortechnologie
Lithium-Akkumulatortechnologie
Mikro-Fertigungsverfahren
Prozesse für die Waferbearbeitung
Lithographie
Waferbumping & Balling
Reactive Ion Etch (RIE)
Deep Reactive Ion Etch (DRIE)
Electroless Ni / Pd / Au Plating (ENEPIG)
Electroplating
Atomic Layer Deposition (ALD)
Sputtern & Evaporieren
Chemical Vapor Deposition (CVD)
Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
Chemisch-mechanisches Polieren (CMP)
Wafer dicing & Grinding
Technologien für die Baugruppenfertigung und Prozesstechnik
MEMS-Anwendungen
Piezo MEMS Technologieplattform
Powder MEMS Technologieplattform
Polysilizium MEMS Technologieplattform
ISIT auf Messen
Aktuelles
[X]
Aktuelles
Leistungselektronik in Schleswig Holstein
integrierte MEMS-Lautsprecher
Ruhestand Prof. Wolfgang Benecke
Wissenschaftsempfang
Bundestagsabgeordnete informierten sich über Entwicklungsarbeiten
Entwicklung von GaN-Bauelementen
Robusten Hochleistungsspeicher für die Elektromobilität
Chip-Mikrolautsprecher auf MEMS-Basis
X-FAB Neubau
Professoren-Tour
Award für Katja Reiter
MINT 2019
Veranstaltungen
[X]
Veranstaltungen
Aspekte moderner Siliziumtechnologie
ISIT-Lötseminare für die Baugruppenfertigung
CMP Veranstaltungen
Tag der offenen Türen
Stellenangebote
[X]
Stellenangebote
Praktika
Werkstudenten/innen
Publikationen
Mehr
Wo bin ich?
Deutsch
Technologie
Leistungselektronik
Halbleitertechnologie für Leistungsbauelemente
Halbleitertechnologie für Leistungsbauelemente
Teaser-Übersicht
Vertikale GaN-Leistungshalbleiter auf 8“ Substraten
MEHR INFO
Laserannealing
MEHR INFO
Bonder und Debonder
MEHR INFO
SEM- und FIB Analytik
MEHR INFO
Lock-In IR Thermografie für die Fehleranalyse von Leistungshalbleitern
MEHR INFO
Lithografie
MEHR INFO
Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie