Unser Angebot
Das Fraunhofer ISIT konzentriert sich auf vertikale GaN-Leistungsbauelemente, insbesondere auf fortschrittliche Transistor- und Diodenkonzepte mit Sperrspannungen von einigen 100 V und Schaltgeschwindigkeiten bis in den ns-Bereich. Die anwendungsspezifischen Chipdesigns und Prozesse werden durch professionelle Simulationssoftware unterstützt. Die speziellen Waferanlagen am ISIT ermöglichen die Verarbeitung von Bulk-GaN-Material mit begrenztem Waferdurchmesser sowie 8" GaN-on-Si EPI-Wafer und die anschließende elektrische Charakterisierung. Da die GaN-Prozesslinie in einen professionellen MEMS-Reinraum integriert ist, können neuartige Fertigungsansätze und unkonventionelle Materialien genutzt werden, um innovative Bauelemente und Integrationskonzepte zu erforschen.