Laserannealing

Mit Hilfe eines Laser-Anneal  Verfahrens bei einer Laserwellenlänge von l= 515 nm können sowohl oberflächennahe implantierte Dotanten aktiviert, als auch Oberflächeneigenschaften von Materialien gezielt modifiziert werden.

Am Fraunhofer ISIT wird der Laser Prozess  zum Annealen von gedünnten und geträgerten Substraten (d ≥ 40 µm) mit Dioden oder IGBT Leistungsbauelementen eingesetzt.  Dies geschieht in einer industriell genutzten Produktionsumgebung.