Automatisierter Doppelpulsmessplatz

  • Analyse und Charakterisierung der Schaltvorgänge von Leistungshalbleitern
  • Ermittlung von Schaltverlusten
  • Vergleich verschiedener Treiberbaugruppen
  • Messungen von Halbbrückenmodulen oder auch bare dies auf Adapterplatinen
  • Überwachung durch Wärmebildkamera möglich

Technische Daten

  • Max. Spannung:                                1200V
  • Max. Strom:                                       400A
  • Temperaturbereich:                            25°C bis 300°C
  • Messplatzinduktivität:                        30-35nH
  • Messgenauigkeit (Oszilloskop):          12bit
  • Max. Abtastrate (Oszilloskop):           2,5 GS/s