Automatisierter Doppelpulsmessplatz

  • Analyse und Charakterisierung der Schaltvorgänge von Leistungshalbleitern
  • Ermittlung von Schaltverlusten
  • Vergleich verschiedener Treiberbaugruppen
  • Messungen von Halbbrückenmodulen oder auch bare dies auf Adapterplatinen
  • Überwachung durch Wärmebildkamera möglich

 

Technische Daten

  • Max. Spannung:                                1200V
  • Max. Strom:                                       400A
  • Temperaturbereich:                            25°C bis 300°C
  • Messplatzinduktivität:                        30-35nH
  • Messgenauigkeit (Oszilloskop):          12bit
  • Max. Abtastrate (Oszilloskop):           2,5 GS/s

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Doppelpuls-Messplatz

Messplatz zur Untersuchung des Schaltverhaltens von Leistungshalbleitern (SiC / GaN)

Charakterisierung von:

  • Schaltverluste (Eon; Eoff)
  • Schaltflanken (du/dt; di/dt)
  • Überspannungen / Stromspitzen
  • Schwingverhalten

Technische Daten:

  • Max. Spannung 1200V
  • Max. Strom 300A
  • Temperaturbereich 25°C – 300°C