Automatisierter Doppelpulsmessplatz

• Analyse und Charakterisierung der Schaltvorgänge von Leistungshalbleitern
• Ermittlung von Schaltverlusten
• Vergleich verschiedener Treiberbaugruppen
• Messungen von Halbbrückenmodulen oder auch bare dies auf Adapterplatinen
• Überwachung durch Wärmebildkamera möglich
  

Technische Daten

• Max. Spannung:                                1200V
• Max. Strom:                                       400A
• Temperaturbereich:                            25°C bis 300°C
• Messplatzinduktivität:                        30-35nH
• Messgenauigkeit (Oszilloskop):          12bit
• Max. Abtastrate (Oszilloskop):           2,5 GS/s