An den Doppelpuls-Messplätzen werden die Schaltvorgänge von Leistungshalbleitern sowohl auf Chip-Ebene als auch im Halbbrücken-Modul untersucht. Wichtige Kenngrößen bei der Charakterisierung sind Ein- und Ausschaltenergien, Spannungs- und Stromsteilheiten als auch die Überspannungen und Stromspitzen. Somit lassen sich verschiedene Bauteile bzw. Bauteil-Entwicklungsstufen vergleichen. Des Weiteren sind die gewonnen Messdaten aus der Charakterisierung wichtige Grundlage für Systemauslegungen und Simulationen, um ein optimales Design für die passenden Leistungshalbleiter zu wählen.
Auf Grund der unterschiedlichen Schalteigenschaften und Geschwindigkeiten von IGBTs, SiC und GaN Bauteilen stehen mehrere Messplätze zur Verfügung. Dank automatisierter Software-Verfahren sind von der einfachen Vergleichsmessungen bis zur kompletten Kennfeld-Generierung des Bauteils diverse Untersuchungen möglich.
Kontaktieren Sie uns gerne, um Ihre Problemstellung gemeinsam zu besprechen und einen Lösungsweg auszuarbeiten.
Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie