Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie
- Analyse und Charakterisierung der Schaltvorgänge von Leistungshalbleitern
- Ermittlung von Schaltverlusten
- Vergleich verschiedener Treiberbaugruppen
- Messungen von Halbbrückenmodulen oder auch bare dies auf Adapterplatinen
- Überwachung durch Wärmebildkamera möglich
Technische Daten
- Max. Spannung: 1200V
- Max. Strom: 400A
- Temperaturbereich: 25°C bis 300°C
- Messplatzinduktivität: 30-35nH
- Messgenauigkeit (Oszilloskop): 12bit
- Max. Abtastrate (Oszilloskop): 2,5 GS/s