Atomic Layer Deposition (ALD)

Anlage: Beneq TFS 200

Bei der Atomlagenabscheidung handelt es sich um ein stark verändertes CVD Verfahren zur Abscheidung von sehr dünnen Schichten. Damit können Schichten mit einer polykristallinen oder amorphen Struktur erzeugt werden. Das Verfahren erlaubt eine sehr gute Kontrolle der ultra-dünnen Schichten die kleiner als 10 nm sind.

Technische Daten:

Prozesstemperatur von 25-450°C

Prozesskammer:

  • Single-Wafer Kammer mit manuellem Handler
  • Batch Kammer mit 25 Slots

Precursor und Schichten:

Al2O3

  • Precursor: TMA, H2O

TiO2

  • Precursor: TiCl4, H2O

TiN

  • Precursor: TiCl4, NH3
  • Planung von SiO2 am Standort
  • Precursor: (Sam24 oder 3DMAS), H2O

Anwendungsgebiete:

Diffusionsbarrieren, Entspiegelungsschichten