
Anlage: Beneq TFS 200
Bei der Atomlagenabscheidung handelt es sich um ein stark verändertes CVD Verfahren zur Abscheidung von sehr dünnen Schichten. Damit können Schichten mit einer polykristallinen oder amorphen Struktur erzeugt werden. Das Verfahren erlaubt eine sehr gute Kontrolle der ultra-dünnen Schichten die kleiner als 10 nm sind.
Technische Daten:
Prozesstemperatur von 25-450°C
Prozesskammer:
- Single-Wafer Kammer mit manuellem Handler
- Batch Kammer mit 25 Slots
Precursor und Schichten:
Al2O3
- Precursor: TMA, H2O
TiO2
- Precursor: TiCl4, H2O
TiN
- Precursor: TiCl4, NH3
- Planung von SiO2 am Standort
- Precursor: (Sam24 oder 3DMAS), H2O
Anwendungsgebiete:
Diffusionsbarrieren, Entspiegelungsschichten