Atomic Layer Deposition (ALD)

Bei der Atomlagenabscheidung handelt es sich um ein stark verändertes CVD Verfahren zur Abscheidung von sehr dünnen Schichten. Damit können Schichten mit einer polykristallinen oder amorphen Struktur erzeugt werden. Das Verfahren erlaubt eine sehr gute Kontrolle der ultra-dünnen Schichten die kleiner als 10 nm sind.

Technische Daten:

Prozesstemperatur von 25-450°C

Prozesskammer:

• Single-Wafer Kammer mit manuellem Handler
• Batch Kammer mit 25 Slots

Precursor und Schichten:

Al₂O₃

• Precursor: TMA, H₂O

TiO₂

• Precursor: TiCl₄, H₂O

TiN

• Precursor: TiCl₄, NH₃
• Planung von SiO₂ am Standort
• Precursor: (Sam24 oder 3DMAS), H₂O

Anwendungsgebiete:

Diffusionsbarrieren, Entspiegelungsschichten