Chemical Vapor Deposition (CVD)

Bei der chemische Gasphasenabscheidung (CVD) werden chemisch Hartstoffe aus der Gasphase abgeschieden. Diese gasförmigen Komponenten umströmen das zu beschichtende Material bei Temperaturen um die 1000 °C. Dabei werden die Komponenten auf der Oberfläche unter Einbeziehung des Materials in Reaktion gebracht, so dass das auf der Oberfläche eine festhaftende Schichten entsteht. Das LPCVD-verfahren beschreibt dabei, das Abscheiden von Schichten unter Niederdruck. Der Vorteil bei der Verwendung diesen Verfahren liegt in der Dichte und der gleichmäßigen Verteilung der Beschichtung.

ASM A400 System

Merkmale:

Beidseitige Beschichtung, Batchprozess

Anwendungsgebiete:

Hartmaskierung, Opferschichten, Schutzschichten, Passivierungsschichten, MEMS-Spezifische Prozesse

Schichten:

Diffusion:

  • Dry Oxide (Trockenoxid)
  • Wet Oxide (Nassoxid)

LPCVD:

  • SiN (Siliziumnitrid)
  • HTO (High Temperature Oxid)
  • Poly Si (Polysilizium)
  • Amorphes Silizium