Electroplating

Beim Galvanisieren können durch elektrochemische Abscheidung dicke metallische Schichten abgeschieden werden. Am ISIT stehen galvanische Gold-, Kupfer-, Nickel- und Zinnprozesse für die Mikrostrukturierung zur Verfügung. Diese bieten ein breites Anwendungsspektrum für metallbasierte Mikrosysteme.

Geräte und Prozesse

• automatische 8“ Galvanikanlage SEMSYCO Triton (Essig-Pretreat und Vakuumvorbehandlung möglich)
• manuelle 6“ bzw. 8“ Galvanikanlage RENA EPM-T 100 für Prozessexperimente
• 2mm Randausschluss
• Metalle: Gold, Kupfer, Nickel, Zinn bis 60µm Schichtdicke
• Temperaturbereich: Raumtemperatur bis 50°C

Anwendungsgebiete:

• Metalloberflächen Mikromechanik
• monolithische Integration, CMOS/ASIC-kompatible Prozessierung
• Elektroden für elektrostatische Akturatorik/ Ablenkung
• Bondrahmen für Wafer Level Packaing /(z.B. eutektisches AuSi- bzw. AuSn-Bonden)
• Metallverdrahtungen
• Bondpads, Bumps
• Spulen
• 3D-Metallstrukturen