
Beim Galvanisieren können durch elektrochemische Abscheidung dicke metallische Schichten abgeschieden werden. Am ISIT stehen galvanische Gold-, Kupfer-, Nickel- und Zinnprozesse für die Mikrostrukturierung zur Verfügung. Diese bieten ein breites Anwendungsspektrum für metallbasierte Mikrosysteme.
Geräte und Prozesse
- automatische 8“ Galvanikanlage SEMSYCO Triton (Essig-Pretreat und Vakuumvorbehandlung möglich)
- manuelle 6“ bzw. 8“ Galvanikanlage RENA EPM-T 100 für Prozessexperimente
- 2mm Randausschluss
- Metalle: Gold, Kupfer, Nickel, Zinn bis 60µm Schichtdicke
- Temperaturbereich: Raumtemperatur bis 50°C
Anwendungsgebiete:
- Metalloberflächen Mikromechanik
- monolithische Integration, CMOS/ASIC-kompatible Prozessierung
- Elektroden für elektrostatische Akturatorik/ Ablenkung
- Bondrahmen für Wafer Level Packaing /(z.B. eutektisches AuSi- bzw. AuSn-Bonden)
- Metallverdrahtungen
- Bondpads, Bumps
- Spulen
- 3D-Metallstrukturen