Electroplating

Beim Galvanisieren können durch elektrochemische Abscheidung dicke metallische Schichten abgeschieden werden. Am ISIT stehen galvanische Gold-, Kupfer-, Nickel- und Zinnprozesse für die Mikrostrukturierung zur Verfügung. Diese bieten ein breites Anwendungsspektrum für metallbasierte Mikrosysteme.

Geräte und Prozesse

  • automatische 8“ Galvanikanlage SEMSYCO Triton (Essig-Pretreat und Vakuumvorbehandlung möglich)
  • manuelle 6“ bzw. 8“ Galvanikanlage RENA EPM-T 100 für Prozessexperimente
  • 2mm Randausschluss
  • Metalle: Gold, Kupfer, Nickel, Zinn bis 60µm Schichtdicke
  • Temperaturbereich: Raumtemperatur bis 50°C

Anwendungsgebiete:

  • Metalloberflächen Mikromechanik
  • monolithische Integration, CMOS/ASIC-kompatible Prozessierung
  • Elektroden für elektrostatische Akturatorik/ Ablenkung
  • Bondrahmen für Wafer Level Packaing /(z.B. eutektisches AuSi- bzw. AuSn-Bonden)
  • Metallverdrahtungen
  • Bondpads, Bumps
  • Spulen
  • 3D-Metallstrukturen