Lithographie

Die Lithographie hat sich zu einem Basisprozess bei der Waferbearbeitung etabliert. Beim lithographischen Verfahren wird zunächst ein Photoresist gleichmäßig durch Schleudern oder Sprühen auf das Substrat aufgebracht. Mit Hilfe einer Strukturvorlage, in der Regel eine mit Chrom beschichtete Glas-maske, werden die offenen Bereiche mit UV-Licht oder Teilchenbestrahlung belichtet, wobei sich die Löslichkeit des Resists ändert. Dabei wird je nach Resist und Prozessführung zwischen Positiv- und Negativresist unterschieden. Beim Positivresist werden belichtete Bereiche vom Entwickler gelöst, beim Negativresist lösen sich die unbelichteten Bereiche beim Entwickeln. Nach der Entwicklung kann die weitere Strukturierung des Substrats durch chemischen oder physikalischen Abtrag erfolgen.

Verfahrensschritte#

Litho 1

Belackung:

Spin- und Spraycoating für strukturierte 8“ Wafer mit niedrig- und hochviskosen Positiv- und Negativlacken (10 cSt bis 5000 cSt) für Lackschichtdicken von 1,2µm bis 60µm.

Belichtung:

Für die Belichtung stehen ein Maskaligner und ein Widefield-Stepper zur Verfügung. Im Maskaligner sind Vorder- und Rückseitenjustagen möglich. Die Belichtung kann im Proximity-Abstand oder als Kontaktbelichtung erfolgen. Im Widefield-Stepper ist eine Auflösung von 0,8µm möglich bei einer maximalen Feldgröße von 50 x 50mm².

Litho 2

Entwicklung:

Die Entwicklung der Lacke kann sowohl mittels Puddle- als auch als Sprayentwicklung durchgeführt werden.

Speziallack-Anwendungen:

Dicklackprozessse
Lift-Off Prozesse

Anlagen

Gerät Typ  |  Hersteller
Stepper FPA-3000 iW | Canon
Mask Aligner MA200 Compact (FSA+BSA) | SUSS
Spin Coater ACS200 PLUS | SUSS
SVG90 S | SVG
Spray Coat   ACS200 PLUS | SUSS
Developer ACS200 PLUS | SUSS
SVG90 S | SVG
CDSEM CDSEM9260 | Hitachi