Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)

Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung ist als eine Sonderform der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD) zu betrachten. Dabei wird die chemische Abscheidung lediglich durch ein Plasma unterstütz. Dabei dient das Plasma als Katalysator für die Reaktion der Reaktivgase. Die Abscheidetemperaturen liegen gewöhnlich zwischen 100 und 600°C.

Anlage#

Technische Daten

Prozesstemperatur von ≤540°C

Prozesskammer:

  • Zwei Silan-Kammern (A+C)
  • Eine TEOS-Kammer (B)

Gase Silan-Kammer: SiH2, N2O, NH3, N2, He, Ar, NF3, PH4 + B2H physikalisch angeschlossen, jedoch bisher keine Prozesse

Gase TEOS-Kammer: TEOS, He, O2, Ar, NF3

Merkmale:

Einseitige Beschichtung, Einzelwaferprozess

Anwendungsgebiete:

Hartmaskierung, Opferschichten, Schutzschichten, Passivierungsschichten, MEMS-Spezifische Prozesse

Schichten

Silanbasierte Prozesse:

  • Silizium-Oxid
  • Silizium-Oxi-Nitrid
  • Silizium-Nitrid
  • Amorphes Silizium

TEOS basierte Prozesse:

  • Silizium-Oxid