Sputtern & Evaporieren

Das Sputtern und das Evaporieren sind zwei Verfahren zur Herstellung von leitenden, halbleitenden und isolierenden Schichten die über eine nicht-kristalline Struktur verfügen. So können Schichten in einem Abscheideverfahren mit amorpher und polykristalliner Struktur erzeugt werden.

Physikalische Gasphasenabscheidung (Bereich PVD)

Anlage zum Kathodenzerstäubung  (Sputtern)

Unsere Magnetron-Sputteranlage vom Typ LLS EVO2 der Firma Oerlikon (Evatec) verfügt über eine Prozesskammer mit 5 DC-Sputterquellen (eine davon RF), sowie einer Schleusenkammer, ausgestattet mit einer Degaseinrichtung und einer RF-Ätzeinrichtung. Für das Hochvakuum bedient man sich der Kryotechnik. Der Substratkorb mit den Substraten dreht sich während des Prozesses um seine eigene Achse.

Prozesse:

  • Kapazität der Anlage: Batchprozess mit 8 Substrate mit 8“ oder optional auch 16 Substrate mit 6“
  • Metalle: Ti, Cu, Cr, WTi, Au sowie TiN
  • An der LLS EVO2 werden Schichtdicken 20 nm bis 1 µm gesputtert

Anwendungsgebiete:

  • Haftvermittler (Adhäsionsschichten) wie Titan oder Chrom
  • Diffusionsbarrieren wie Wolframtitan oder Titannitrid
  • Starterschichten für die Galvanik wie Gold oder Kupfer

Evaporation

Anlage zum Bedampfen:

Das ISIT verfügt über eine Aufdampfanlage vom Typ BAK 760 der Firma Oerlikon (Evatec). Die Anlage benutzt für die Verdampfung des Materials das Elektronenstrahlen. Sie ist mit zwei Strahlquellen ausgestattet.

Prozesse:

  • Kapazität der Anlage: Batchprozess mit maximal 8 Substrate mit 8“  oder optional auch 16 Substrate mit 6“
  • Zurzeit stehen der Metallisierung folgende Metalle zur Verfügung: Ti, Ta, Al, Ni, Ag, Pt, Au, Ir und Ge
  • Schichtdicken von 20 nm bis zu 1 µm

Anwendungsgebiete:

  • Haftvermittler (Adhäsionsschichten) wie Titan oder Aluminium zur Anwendung von Leiterschichten
  • Metallische Schichten wie Platin oder Iridium für Lift-Off-anwendungen
  • Starterschicht für die Galvanik
  • Reflektierende Schichten für den Aufbau von planaren und konvexen Spiegelanwendungen