Vertikale GaN-Leistungshalbleiter auf 8“ Substraten

Wir bieten Ihnen die Entwicklung und Prozessierung kundenspezifischer vertikaler Gallium-Nitrid Leistungsbauelemente (Transistoren, Dioden) in modernster 8“ Fertigungsumgebung. Die typischen Sperrspannungen liegen im Bereich von einigen 100 V und Schaltgeschwindigkeiten bis in den ns-Bereich.