Atomic Layer Deposition (ALD)

Anlage: Beneq TFS 200

Technische Daten:

  • Prozesstemperatur von 25-450°C
  • Prozesskammer:
    - Single-Wafer Kammer mit manuellem Handler
    - Batch Kammer mit 25 Slots

 

 

 

 

Precursor und Schichten:

  • Al2O3
    - Precursor: TMA, H2O
  • TiO2
    - Precursor: TiCl4, H2O
  • TiN
    - Precursor: TiCl4, NH3
    - Planung von SiO2 am Standort
    - Precursor: (Sam24 oder 3DMAS), H2O