Electronica 2026

Erleben Sie auf der Messe unsere innovativen Entwicklungen im Bereich der Galliumnitrid (GaN) Forschung! Wir nutzen die vorteilhaften Materialeigenschaften von Galliumnitrid, wie eine verbesserte Leistungsfähigkeit und Effizienz, um von diesen in unserer Forschung zu profitieren.

Unser Fokus liegt auf der Effizienzsteigerung durch komplexe Bauelement-Architekturen: Während bisher meist laterale GaN-Strukturen genutzt werden, entwickeln die Forscher am Fraunhofer ISIT vertikale GaN-Bauteile.

Was Sie an unserem Stand erwartet:

• GaN Trench MOSFETs: Einblicke in die Entwicklung vertikaler Bauelemente, die bei identischer Spannungsklasse eine signifikante Reduktion des Formfaktors gegenüber lateralen Strukturen ermöglichen.
• Full-Service Technologie-Expertise: Vorstellung unserer GaN-Prozesstechnologien und Modellierungsdienstleistungen entlang der gesamten Wertschöpfungskette, von der präzisen Modellierung und Robustheitsanalyse auf Waferebene bis hin zur Pilotfertigung auf 200-mm-Wafern.
• Anwendungsszenarien: Diskutieren Sie mit unseren Forschern über den Einsatz dieser Technologien in der IT-Infrastruktur, Elektromobilität und in modernen Industrieantrieben..

Besuchen Sie unsere Forscher*innen an ihrem Stand und erfahrt dort mehr über diese spannenden Entwicklungen.

Weitere Details gibt es in unserem Datenblatt.

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