Kommt und besucht unsere Expert*innen auf der Optatec! Ihr seid gespannt was wir so vorstellen werden? Weiter unten findet ihr Infos über unsere Exponate!
Auf der Messe erhalten Besucher umfassende Einblicke in die heißviskose Formgebung – ein innovatives Verfahren zur präzisen Herstellung von Mikrokomponenten aus Glas auf Waferebene. Der vom Fraunhofer ISIT entwickelte Prozess basiert auf der heißviskosen Abformung von Glas und ermöglicht erstmals die Fertigung hochwertiger optischer Bauelemente direkt auf Waferebene.
So können Mikrolinsen, Reflektoren und speziell geformte optische Fenster in großer Stückzahl und ohne zusätzliche mechanische Bearbeitung hergestellt werden. Dies eröffnet eine kostengünstige Massenfertigung mikrooptischer Komponenten. In Kombination mit MEMS-Scannern und aktiven optischen Bauelementen bildet dieses Verfahren die Grundlage für hermetisch gekapselte MEMS-Komponenten, die hohen Anforderungen an optische Funktionalität gerecht werden – beispielsweise MEMS-Spiegel mit schrägen Fenstern.
Besuchen Sie unseren Stand und erfahren Sie mehr über den Prozess, aktuelle Forschungsprojekte sowie Anwendungs- und Kooperationsmöglichkeiten.
Lernen Sie auf der Messe unsere fortschrittlichen Gehäusetechnologien auf Waferebene kennen! Wir nutzen die Präzision von Halbleiter- und Mikrosystemtechnologien, um robuste und kompakte Gehäuse für Mikrosensoren, Aktuatoren und mikrooptische Komponenten zu realisieren.
Unser Team legt besonderen Wert auf die hermetische Verkappung und verwendet verschiedene Fügetechnologien, darunter Glaslote und Metalle. Unsere Gehäuse für mikrooptische Komponenten bieten optisch transparente Fensterflächen für den sichtbaren Bereich bis hin zum fernen Infrarot. Das Wafer-Level Packaging ist optimal für die Post-CMOS-Prozessierung von kundenspezifischen Wafern und findet Anwendung in Bereichen wie IR-Sensoren, Inertialsensoren, Magnetfeldsensoren und MOEMS-Bauteilen.
Besuchen Sie unseren Stand auf der Messe und erfahren Sie mehr über unsere Lösungen und Technologien! Wir freuen uns auf Ihren Besuch!
Erfahren Sie auf der Optatec, wie das Fraunhofer ISIT die TGV-Technologie (Through-Glass Vias) weiterentwickelt. Im Fokus steht ein innovatives Verfahren zur Befüllung von Glasstrukturen mit Aluminiumschmelze, welches die Integration hochleitfähiger elektrischer Verbindungen direkt in Glaswafer ermöglicht.
Diese Schlüsseltechnologie eröffnet neue Möglichkeiten für Hochfrequenzanwendungen wie 5G und 6G und überzeugt durch ihre hohe Flexibilität bei unterschiedlichsten Geometrien.
Besuchen Sie unser Team vor Ort und entdecken Sie modernste Lösungen für die Glasstrukturierung!
Das Fraunhofer ISIT präsentiert in diesem Jahr neue Entwicklungen auf dem Gebiet der piezoelektrisch angetriebenen MEMS-Spiegel. Die Aktuation mit Hilfe von AlScN ermöglicht, aufgrund der materialspezifischen großen Antriebskraft und hoher Materialelastizität, bemerkenswerte Spiegelauslenkungen, hohe Frequenz sowohl im quasistatischen als auch im resonanten Betrieb. Weiterhin zeichnen sich die MEMS-Spiegel durch eine sehr gute Auslenkungs-Spannungs-Linearität und beeindruckende Langzeitstabilität aus. Dank der großen Designflexibilität eignen sich die MEMS-Spiegel des Fraunhofer ISIT für den Einsatz in breiten Anwendungsfeldern, wie z.B. in industriellen und Fahrzeug-LiDAR-Systemen, Quantencomputing und –sensorik, Spektroskopie oder der optischen Kommunikation.
Im Rahmen des BMWK-Projekts „MEMS-BORO“ wird ein MEMS-basiertes, miniaturisiertes Boroskop zur Inspektion von stark belasteten Bauteilen in Flugzeugtriebwerken entwickelt. Die Integration einer 3D-LiDAR-Kamera in das Boroskop ermöglicht hierbei die Inspektion bisher unerreichter Bauteilbereiche. Die zu entwickelnde automatisierte Datenauswertung erkennt Defekte und kann diese klassifizieren, weshalb der Automatisierungsgrad des zurzeit noch vollständig manuell durchgeführten Prozesses der Triebwerksinspektion erheblich erhöht werden kann.
Das Fraunhofer Institut für Siliziumtechnologie ist spezialisiert auf die Entwicklung und Herstellung einer Vielzahl von akustischen und optischen mikroelektromechanischen Systemen. Seine hochmoderne technologische Ausstattung auf Basis der 200-mm-Siliziumwafertechnologie ermöglicht die Umsetzung technisch anspruchsvoller, innovativer Ansätze sowie die anschließende Prototypenfertigung im industriellen Maßstab. Die fundierte Kompetenz in der Abscheidung und Strukturierung von Siliziumoxiden und -nitriden sowie die langjährige Erfahrung in der Integration bleifreier, piezoelektrischer Materialien für MEMS-Aktoren im industriellen Maßstab machen das Fraunhofer ISIT zu einem leistungsstarken Partner im Bereich der photonischen integrierten Schaltungen.
Das Fraunhofer ISIT entwickelt Sensoren, die auf der Modulation von akustischen Oberflächenwellen (SAWs) basieren. Diese Sensoren können zur Messung verschiedener physikalischer Phänomene eingesetzt werden: Neben der Massenabsorption können auch elastische, viskoelastische oder elektrische Effekte ausgenutzt werden. Dedizierte Funktionsschichten ermöglichen ein breites Anwendungsspektrum mit Druck-, Feuchte-, Elektrofeld-, Vibrations-, Gas-, Bio- oder Magnetfeld-/ Stromsensoren.
Die Besonderheit der SAW-Sensortechnologie am ISIT ist, dass sie nicht auf einkristallinen piezoelektrischen Substraten beruht und stattdessen in CMOS- und MEMS-kompatibler Siliziumtechnologie gefertigt werden. Möglich wird dies erst durch den Einsatz des leistungsstarken piezoelektrischen Dünnschichtmaterials AlScN. Weitere Vorteile sind neben der hohen Technologiekompatibilität eine höhere Prozessflexibilität hinsichtlich der Integration von Funktionsschichten, eine reduzierte Chipgröße sowie die Möglichkeit, verschiedene Sensoren auf einem Chip zu kombinieren.
Das Fraunhofer ISIT entwickelt hochminiaturisierte piezoelektrische mikromechanische Ultraschallwandler (PMUTs) für eine Vielzahl von technischen Anwendungen, wie z. B. Abstandsmessungen, Gestenerkennung, haptisches Feedback oder medizinische Bildgebung. Je nach Zielfrequenz und Anwendung basiert das Konzept auf Aktuatoren oder Membranen aus den piezoelektrischen Hochleistungsmaterialien AlN, AlScN und PZT, die sehr hohe Schalldruckpegel sowie Empfindlichkeiten ermöglichen. Auf diese Weise lassen sich effiziente Ultraschallwandler mit Mittenfrequenzen von wenigen kHz bis zu mehreren hundert MHz realisieren. Die Herstellung mit Hilfe der Halbleitertechnologie ermöglicht dabei sowohl eine hohe Miniaturisierung als auch eine kosteneffiziente Produktion in hohen Stückzahlen.
Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie
