Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie
Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie

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PowerMOS

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Die steigenden Anforderungen an die Effizienz und Leistungsfähigkeit leistungselektronischer Systeme stellen eine erhebliche Herausforderung dar. Insbesondere in Hochvolt-Anwendungen sind herkömmliche Bauelemente oft nicht ausreichend, um die geforderten Leistungsmerkmale zu erreichen und gleichzeitig zuverlässige Betriebsbedingungen zu gewährleisten.

Um diesen Herausforderungen zu begegnen, entwickeln wir fortschrittliche PowerMOS Transistoren, die speziell für Hochvolt-Anwendungen optimiert sind. Durch innovative Designansätze und die Implementierung neuer Prozesstechnologien bieten unsere Lösungen eine signifikante Verbesserung der Effizienz und Zuverlässigkeit in leistungselektronischen Systemen.

Die Weiterentwicklung von PowerMOS Transistoren ist ein zentraler Schwerpunkt des ISIT, wobei insbesondere hochvolt-kompensierte Bauelemente nach dem Superjunction-Prinzip hervorgehoben werden. Neue Device-Architekturen und Prozesstechnologien spielen hierbei eine entscheidende Rolle. Systemspezifische PowerMOS Bauelemente, die auf die jeweilige Anwendung abgestimmt sind, sind Voraussetzung für die Steigerung der Effizienz und Zuverlässigkeit leistungselektronischer Systeme. In Kombination mit neuen Assemblierungstechniken ergeben sich erhebliche Vorteile hinsichtlich Robustheit und Lebensdauer des Gesamtsystems.

Ein praktisches Beispiel für den Einsatz unserer PowerMOS Transistoren findet sich in der Elektrofahrzeugtechnologie. Hier ermöglichen unsere hochvolt-optimierten Bauelemente eine effiziente Umwandlung und Steuerung von Energie, was zu einer verbesserten Reichweite und Leistung des Fahrzeugs führt.

Die Verwendung unserer spezialisierten PowerMOS Bauelemente bringt zahlreiche Vorteile mit sich, darunter eine höhere Effizienz, verbesserte Zuverlässigkeit und längere Lebensdauer von leistungselektronischen Systemen. Diese Vorteile tragen maßgeblich zur Reduzierung von Betriebskosten und zur Steigerung der Gesamtleistung bei.