Automotive Power Inverters

Der kompakteste Elektroantrieb der Welt

Die Entwicklung des kompaktesten Elektroantriebs der Welt steht vor der Herausforderung, die Effizienz des Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) im mittleren Leistungsbereich (> 400 V) zu maximieren. Die Optimierung des Schalt- und Durchlassverhaltens erfordert innovative Ansätze, insbesondere bei ultradünnen Feldstopp IGBTs, während gleichzeitig fortschrittliche Assemblierungstechniken berücksichtigt werden müssen.

Im Rahmen des Leuchtturmprojekts ATEM InMOVE, einem Verbundprojekt aus Wissenschaft und Industrie, erforschen wir Technologien für ein Antriebskonzept mit modular verteilten Elektroantrieben hoher Drehzahl. Die Projektpartner, darunter Volkswagen AG, Danfoss Silicon Power, Vishay Siliconix Itzehoe GmbH, FTCAP GmbH, Reese + Thies Industrieelektronik GmbH, Fraunhofer ISIT und FH Kiel: Institute für Mechatronik & Elektrische Energietechnik, arbeiten gemeinsam an der Optimierung von IGBTs und Leistungsmodule für Umrichter, um den elektrischen Antrieb so kompakt wie möglich zu gestalten.

Die Wissenschaftler des ISIT konzentrieren sich auf die Entwicklung von IGBTs der neuesten Generation, die für 1200 V / 200 A ausgelegt sind und bei 13,5 kHz mit minimalen Schaltverlusten betrieben werden können. Die IGBT-Entwicklung umfasst auch die Herstellung von drei Varianten in verschiedenen Lernzyklen sowie die Modifikation der bestehenden Standard-IGBT-Architektur (STD-IGBT). Innovative Fertigungstechnologien wie die Metallisierung mit electroless Ni/Au und die Verwendung von speziellen Laserprozessen zur Anpassung der Bauelement-Performance sind ebenfalls Teil des Entwicklungsprozesses.

Systemmodell des Antriebsumrichters

  • Implementierung des thermischen Verhaltens des Halbrückenmoduls anhand eines Foster Netzwerks.
  • Zulässige Bauelementtemperatur bei Maximalbelastung: TJ,max = 175°C.
  • Lebensdauer: Fahrzyklus 8875 s.
  • Temperaturhübe: min 2°C, max 60°C.
  • Lebensdauerabschätzung (Zyklenzahl bis zum Defekt): Fahrstrecke von 450.000 km.
  • Mit Danfoss Bond Buffers 10-15 fach höhere Lebensdauer.
  • Verbesserung des Gesamtwirkungsgrades und der Gesamtperformance dank IGBTs von ISIT/Vishay.
  • Chip Layout, Maskensatz und Sonderprozesse.
  • Metallisierung der Chip-Vorderseite mit einer electroless Ni/Au-Schicht.
  • Anwendung von Trägerverfahren zur Rückseitenbearbeitung von dünnem Silizium (50 µm bis 150 µm).
  • Rückseitenprozessierung durch Implantation und Laser-Annealing (λ = 515 nm).
  • Metallisierung der Chip-Rückseite mit Ti/Ni/Ag.

IGBT-Chipentwicklung

Auf Basis der Systemsimulationen für den zu entwickelnden modularen Umrichter wurden die Anforderungen an 1200 V / 200 A Trench Feldstopp IGBTs festgelegt. Die IGBTs sollten bei 13,5 kHz und möglichst geringen Schaltverlusten bis TJ,max = 175°C betrieben werden können. Die Abbildung 3 zeigt den von Vishay und Fraunhofer ISIT entwickelten IGBT mit Ni/Au als Gate- und Emitter Anschlussfläche.

IGBT-Herstellung

  • Entwicklung und Herstellung von drei IGBT-Varianten in drei Lernzyklen.
  • Modifikation der bestehenden Standard IGBT Architektur (STD-IGBT) zur Realisierung von Injection Enhancement Bauelementen mit 5 µm (IEP5) und 4 µm (IEP4) Zellpitch.
  • Iterative Anpassung der Bauelement-Performance durch spezielle laserunterstützte Anpassung der p/n-dotierten rückseitigen p+-Emitter- und Feldstoppschicht.

Das Projekt ATEM InMOVE demonstriert die Anwendung der entwickelten Technologien in der realen Welt, indem es die Antriebsleistung elektrischer Fahrzeugantriebe auf mehrere kompakte Elektroantriebsmodule aufteilt. Dies führt zu einer skalierbaren elektrischen Antriebsleistung und einer variablen Antriebsarchitektur, die mit denselben Komponenten realisiert werden kann. Die Projektpartner stellen sich der Herausforderung, den elektrischen Antrieb so kompakt wie möglich zu gestalten, einschließlich der schlanken, schnell drehenden Elektromaschine mit integriertem Umrichter.

Die integrierten elektrischen Antriebssysteme, die im Rahmen des Projekts entwickelt werden, sind darauf ausgelegt, klein, kostengünstig und zuverlässig zu sein. Die Verwendung der IGBTs von ISIT und Vishay ermöglicht eine signifikante Verbesserung des Gesamtwirkungsgrades und der Gesamtperformance, was zu einer hohen Lebensdauer der Komponenten führt und die Entwicklungskosten der elektrischen Antriebskomponenten reduziert.

IGBT: Spezifikationen und technische Details

Tabellenreiter rechts aufklappen:

Spezifikation des IGBT

Parameter Zielwert Layout
Temperatur     25°C 125°C 150°C 175°C  
Spannung
[V] 1200          
NennstromInom [A] 200          
Frequenz f [kHz] 13,5 Modul-Grobspezifikation  
VCEsat (Trade-Off Rg = 1 Ω) abhängig [V]   1,95 2,2 2,24 x IE-IGBT
Vorwiderstand RG Ω 1          
Mechanische-Abmessungen:
Chip-Abmessungen [mm2] 15,92 x 12,01    
Gate-Pad Position   Rand-Mitte          
Chip-Fläche (ohne Gate) (PAD) [mm2] 153          
Chip-Dicke [µm] 120-140          
1) Verlustleistung: aus Datenblatt Referenzmodul, internal Rg = 4,7, RGoff = 0,91 Ω, 30 nH, 25°C)
Eon (1200 V, 200 A) [mJ]   10,5 1)
       
Eof (1200 V, 200 A) [mJ]   11 1)        
Etot = Eon + Eoff [mJ]   21,5 1)        
Kurzschlusszeit, tsc     mit IE: 7,5 µs (150°C, 800V) ohne IE: max 7 µs (25°, 900 v)        
Metallisierungsaufbau              
Vorderseite [µm] tbd. Sinterfähig: Ni-Au oder Ni-Pd-Au elektroless        
Rückseite [µm]   Ti 50 / Ni 100 / Ag 1000        
Technische Details zu den Modulaufbauten

Technologie STD IEP5 IEP5 IEP4
Modulaufbau

Lead-Frame

5 µm Pitch offenes Modul

Lead-Frame

5 µm Pitch offenes Modul

"Moldmodul"

5 µm  

"Moldmodul"

4 µm

1. Modulserie (Mod1) 2. Modulserie (Mod2)
3. Modulserie (Mod3)
4. Modulserie (Mod4)
Aufbautechnik, Vorderseite Alu Drahtbond auf N/Au bzw. Al Alu Drahtbond auf Ni/Au bzw. Al DBB auf Ni/Au Cu Drahtbond auf DBB DBB auf Ni/Au Cu Drahtbond auf DBB
Aufbautechnik, Rückseite Ti/Ni/Ag +Sintern auf DCB Ti/Ni/ag + Sintern auf DCB Ti/Ni/Ag + Sintern auf DCB Ti/Ni/Ag + Sintern auf DCB
IGBT STD 1. Generation IEPS 2. Generation IEPS 3. Generation
IEP4 5. Generation
Rg, IGBT_intern 0,7 Ω 0,7 Ω 0,7 Ω 0,7 Ω
Metall: Emitter
Ni/Au Ni/Au Ni/Au Ni/Au
Metall: Kollektor Ti/Ni/Ag
Ti/Ni/Ag Ti/Ni/Ag Ti/Ni/Ag
Diode: Metall: Anode SMIKORN, SKCD_81_C_120_I4F
Al Al Ni/Au Ni/Au
Metall: Kathode lötbar, Ni/Ag lötbar, Ni/Ag lötbar, Ni/Ag lötbar, Ni/Ag