Under-Bump Metallisierung (UBM)

Für die preiswerte Herstellung von Flip Chip Kontaktbumps ohne Umverdrahtung verfügt das ISIT über eine chemische, d.h. maskenlose Abscheidung von Nickel, Palladium und Gold (ENIG bzw. ENEPIG). Die Abscheidung kann sowohl auf Aluminium- als auch auf Kupferpads erfolgen. Da der Prozess keine Lithographie benötigt und im Batch durchgeführt wird, ist die Abscheidung wesentlich günstiger als ein konventioneller galvanischer Prozess.

Die Infrastruktur ist auf bis zu 200 mm Waferdurchmesser ausgelegt. Durch die langjährige Erfahrung mit unterschiedlichsten Waferdesigns läuft der Beschichtungsprozess sehr stabil. Bevorzugt werden die Wafer vor dem Schleifen mit chem. Ni-Au UBM ausgestattet und können danach im ISIT auf Zieldicke gedünnt, gebumpt und auch gesägt werden. Durch den methodischen Ansatz “UBM first“ wird das Bruchrisiko der Wafer stark gesenkt.

Die Abscheidung auf bereits gedünnten Wafern ist ebenfalls möglich, erfordert unter Umständen jedoch zusätzliche Prozessschritte zum Schutz der Rückseite. Sehr gute Erfahrungen existieren auch mit der Abscheidung auf TaikoTM -Wafern, deren Rückseite nach dem Grinden passiviert wurde.