IGBTs

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Der Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ist das wichtigste Halbleiter-Leistungsbauelement für Anwendungen im mittleren Leistungsbereich für Spannungen > 400 V. Um seine Effizienz bzgl. Schalt- und Durchlassverhalten zu verbessern, konzentriert sich das ISIT auf die Entwicklung von ultradünnen Feldstopp IGBTs. Ein weiterer Aspekt ist die Anpassung an fortschrittliche Assemblierungstechniken

InMOVE

Im Vorhaben InMOVE wird der Ansatz verfolgt, die Antriebsleistung eines elektrischen Fahrzeugantriebs auf mehrere kompakte Elektroantriebsmodule aufzuteilen. Damit wird die elektrische Antriebsleistung skalierbar und die Antriebsarchitektur variabel bei Verwendung gleicher Komponenten. Die Elektroantriebsmodule bestehen dabei aus einer schlanken schnelldrehenden Elektromaschine mit integriertem Umrichter. Der modulare Ansatz gleicher Antriebsmodule zur Leistungsskalierung und Variabilität möglicher Antriebstopologien macht Skaleneffekte möglich und reduziert die Entwicklungskosten der elektrischen Antriebskomponenten.
Voraussetzung für die Realisierung solcher Antriebsmodule ist eine sehr kompakte Bauweise der zu integrierenden Leistungselektronik-Komponenten. Im Rahmen dieses Vorhabens werden daher innovative Leistungselektroniktechnologien in einem mechatronischen Gesamtansatz verfolgt, der das oben beschriebene Antriebssystemkonzept ermöglichen soll.
Die Technologieinnovationen werden in einem Demonstrator eines solchen Antriebsmoduls dargestellt und in ihrer Funktionalität untersucht und bewertet.  

Exponat Umrichter