Elektrische Charakterisierung

Hersteller und Entwickler stehen vor der Aufgabe, Halbleiterbauelemente auf Wafer-, PCB- und Modulebene sowohl statisch als auch dynamisch präzise zu charakterisieren und Schwachstellen punktgenau zu lokalisieren. Nur so lassen sich Ausfälle minimieren und die Zuverlässigkeit elektronischer Baugruppen maximieren.

 

Das Fraunhofer ISIT stellt Ihnen eine professionelle Messtechnik-Plattform zur Verfügung, die alle gängigen Verfahren zur elektrischen Charakterisierung abdeckt und darüber hinaus modernste Analytik-Methoden integriert:

  • Statische und dynamische Parameter­messungen (IV/CV, Puls­messungen, Rds(on), Schalt­charakteristik)
  • Fehleranalyse mit Lock-In IR-Mikrothermographie zur Hot-Spot-Detektion
  • Strukturanalyse mittels Raster­elektronen­mikroskop (SEM) und fokussiertem Ionenstrahl (FIB)
  • Tests auf Wafer-, PCB- und Modulebene – alles 24/7 am Standort ISIT
 

Entdecken Sie virtuell unseren MEMS Reinraum!

Entwicklung und Produktion an einem Standort: 24/7

  • Wafer-Level-Tests: IV-/CV-Kennlinien, Puls- und Temperatur­abhängige Messungen
  • PCB & Module: Funktionstests unter realen Betriebs­bedingungen, Spannungs­festigkeit, Schaltzyklen
  • Lock-In IR-Mikrothermographie: Lokalisierung thermischer Anomalien
  • SEM & FIB: Oberflächen­analysen, präzise Querschliffe und Material­charakterisierung
  • Virtueller Reinraum-Rundgang: Online-Einblick in unsere MEMS-Fertigung

  • Charakterisierung von PowerMOSFETs und IGBTs direkt auf Wafer-Ebene
  • Fehler­analyse bei Modulversagen in der Leistungselektronik
  • Parametertests für analoge und mixed-signal-ICs
  • Qualifizierung von MEMS-Sensoren vor der Systemintegration

  • Ganzheitlicher Service: Entwicklung, Test und Analyse aus einer Hand
  • Höchste Messgenauigkeit und Auflösung durch modernste Messtechnik
  • Schnelle Fehlersuche und zielgerichtete Prozessoptimierung
  • Permanente Verfügbarkeit und virtuelle Reinraum­besichtigung
  • Nahtlose Verzahnung von Charakterisierung und Produktion am ISIT-Standort