Elektrische Charakterisierung

Das ISIT verfügt über eine professionelle Messtechnik zur elektrischen Charakterisierung von Halbleiterbauelementen auf Wafer-,  PCB- und Modulebene. Hierbei werden alle gängigen Verfahren zur statischen und dynamischen Charakterisierung durchgeführt.

Für die Fehleranalyse und Lokalisierung von Schwachstellen wird modernste Lock-In IR-Mikrothermographie eingesetzt. Strukturuntersuchungen für die Fehleranalyse mittels SEM und FIB sind weitere Methoden der Charakterisierung von Halbleiterbauelementen, die vom ISIT angeboten werden.

 

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