Sie sind gespannt, was wir so vorstellen werden? Weiter unten finden Sie Infos über unsere Exponate!
Fraunhofer ISIT hat ein patentiertes Verfahren zur Herstellung dreidimensionaler Mikrostrukturen auf Wafer-Ebene entwickelt. Diese Technologie ermöglicht die Integration von Mikromagneten, thermischer Isolation und mikrofluidischen Kanälen in next-generation Mikrosystemen. PowderMEMS® bietet entscheidende Vorteile gegenüber anderen Verfahren und ermöglicht eine präzise Gestaltung von 3D-Strukturen.
Anwendungsbeispiele sind magnetische MEMS, Mikrofluidik und Mikroelektronik. Besuchen Sie unseren Stand und erfahren Sie mehr über die einzigartigen Möglichkeiten der PowderMEMS®-Technologie!
Das Fraunhofer ISIT präsentiert einen AMR-Stromsensor, der NdFeB-Permanentmagneten auf Wafer-Ebene integriert. Diese innovative Technik ermöglicht eine kompaktere Bauweise und reduziert die Produktionskosten, da externe Bias-Magnete entfallen. Der ADK769 funktioniert wie herkömmliche Sensoren und eignet sich für diverse mikroelektronische Anwendungen. Besuchen Sie unseren Stand und erfahren Sie mehr über diese zukunftsweisende Technologie!
Das Fraunhofer ISIT und IIS präsentieren den weltweit kleinsten Back-Biased 3D Hall-Sensor. Durch die Kombination der bewährten HallInOne®-Technologie mit PowderMEMS®-Mikromagneten werden Bias-Magnete direkt auf Wafer-Ebene integriert. Dies eliminiert die Notwendigkeit für externe Montage und ermöglicht eine anwendungsspezifische Gestaltung des Biasfelds.
Das Fraunhofer ISIT bietet mit dem innovativen PowderMEMS®-Prozess PFAS-freie, gasdurchlässige Umweltschutzkappen, die direkt in 8”-Wafer aus Silizium integriert sind. Diese Kappen schützen MEMS-Sensoren vor schädlichen Umwelteinflüssen wie Partikeln und Feuchtigkeit, während sie gleichzeitig die Notwendigkeit für separate Chipprozesse eliminieren.
Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie
