Beim eutektischen Bonden erfolgt durch Einsatz von einem oder mehreren Metallen als Zwischenschicht die Verbindung zweier Wafer durch Ausbildung eines Eutektikums. Dieser eutektische Punkt erlaubt es, die beiden als Festkörper vorliegenden Elemente stoffschlüssig miteinander zu verbinden: Werden die Oberflächen unter Einwirkung von Kraft und hinreichender Temperatur in Kontakt gebracht, so bildet sich eine Diffusionszone, die sich verflüssigen kann und so die Bildung von weiterem Eutektikum beschleunigt. Durch die präzise Kontrolle von Kraft und Temperatur in diesem Prozess sowie durch zusätzliche Designmaßnahmen ist es möglich, die flüssige Phase zu kontrollieren und das ungewollte Benetzen umliegender Strukturen zu verhindern. Der Vorteil bei diesem Bonderverfahren ist die Fähigkeit, auch größere Unebenheiten der Fügeflächen ausgleichen zu können
Das ISIT verwendet diesen Prozess beim Packaging von MEMS-Resonatoren und anderen waferbasierten Bauteilen mit vorstrukturierten Silizium-Kappenwafern.