TROM2-Chip: Ein Chip zur Maskenherstellung

• CMOS-Elektronik: Integrierte Schaltungen, die für die Signalverarbeitung und Schaltungslogik erforderlich sind.
• MEMS-Technologien: Mikroelektromechanische Systeme, die für die präzise Ablenkung von Elektronenstrahlen verantwortlich sind.
• Elektronenstrahl-Maskenschreiber (MBMW): Innovative Maskenschreiber, die eine hohe Anzahl an parallel schreibenden Elektronenstrahlen nutzen.

Die Innovationshöhe des Projekts liegt insbesondere in der hohen Anzahl parallel schreibender Elektronenstrahlen und der Fähigkeit, Miniaturisierungsgrenzen unter den 10 nm Technologieknoten zu erreichen.

Das Fraunhofer ISIT ist eine führende Forschungseinrichtung im Bereich der Mikro- und Nanotechnologie mit Sitz in Itzehoe, Deutschland. Das Institut spezialisiert sich auf die Entwicklung innovativer Technologien für die Halbleiterindustrie, insbesondere im Bereich der Mikroelektronik und MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems).

Durch enge Kooperationen mit Industriepartnern und anderen Forschungseinrichtungen trägt das Fraunhofer ISIT maßgeblich zur Verbesserung von Herstellungsverfahren und der Miniaturisierung von elektronischen Bauelementen bei. Ein Schwerpunkt liegt auf der Entwicklung von Lösungen für die EUV-Lithografie, die für die Fertigung hochauflösender Fotomasken unerlässlich ist. Mit modernsten Techniken und einem interdisziplinären Ansatz unterstützt das Fraunhofer ISIT die Halbleiterindustrie dabei, zukünftige Herausforderungen zu meistern und neue technologische Standards zu setzen.

IMS Nanofabrication ist ein führendes Unternehmen in der Entwicklung von hochpräzisen Elektronenstrahl-Maskenschreibern für die Halbleiterindustrie. Das Unternehmen hat sich auf innovative Lösungen zur Maskenherstellung spezialisiert, die es ermöglichen, komplexe und hochauflösende Strukturen effizient zu produzieren. Mit einem starken Fokus auf Forschung und Entwicklung trägt IMS Nanofabrication zur Weiterentwicklung von Lithografietechnologien und zur Miniaturisierung in der Mikroelektronik bei.