Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie
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Prozesstechnologie
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Unsere Lösung
Das ISIT betreibt gemeinsam mit Vishay Semiconductor Itzehoe GmbH eine hochmoderne Front-End-Halbleiterproduktionslinie für 200 mm Si-Wafer.
- Vishay nutzt die Linie zur Serienfertigung von Leistungsbauelementen (PowerMOS und IGBT)
- Das ISIT setzt dieselbe Linie für anspruchsvolle Entwicklungsprojekte ein
Technologie
- Front-End-Produktionstechnologie für 200 mm Si-Wafer
- Bearbeitung ultradünner Substrate (< 50 µm)
- Dotierstoffaktivierung mittels Laser-Aktivierung
- Back-End-Prozesse: neue Metallisierungsverfahren für fortschrittliche Aufbautechniken
- MEMS-Reinraum mit virtueller Besichtigung
Anwendungen
- Serienfertigung von PowerMOS- und IGBT-Leistungsbauelementen in Kooperation mit Vishay
- Entwicklungsprojekte im Front-End: Prozessoptimierung, Materialforschung und Technologieentwicklung
- Back-End-Veredelung für komplexe Aufbautechniken
Vorteile
- Entwicklung und Produktion an einem Standort, 24/7
- Breites Spektrum modernster Halbleiterprozesse aus einer Hand
- Zugang zu ultradünnen Substraten und innovativer Laser-Aktivierung
- Modernste Metallisierungstechnologien für höchste Anforderungen
- Virtuelle Reinraumbesichtigung zur schnellen Projektplanung