Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie

Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik in Itzehoe

Willkommen beim Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie ISIT, dem Spezialisten für die Entwicklung, Fertigung und Integration mikromechanischer und mikroelektronischer Bauelemente. Auf den folgenden Seiten finden Sie Informationen über unser Haus und über Möglichkeiten der Zusammenarbeit.

Leistungsangebot des Fraunhofer-ISIT

Leistungselektronik

Das Geschäftsfeld Leistungselektronik des Fraunhofer ISIT entwickelt und fertigt innovative aktive und passive Leistungshalbleiterbauelemente auf Basis von Silizium und
Galliumnitrid, entwickelt daraus leistungselektronische Systeme...

Mikro-
Fertigungsverfahren

Im Fokus dieses Geschäftsfelds stehen die Industrialisierung, Qualität und Zuverlässigkeit von einzelnen Reinraumprozessen, Prozessplattformen wie dem Wafer-Level Packaging, sowie Bauelementen.

MEMS-Anwendungen

Seit mehr als 30 Jahren arbeiten ISIT-Wissenschaftler an der Entwicklung von mikroelektromechanischen Systemen (MEMS). Der Fokus im Geschäftsfeld MEMS-Anwendungen liegt auf Design, Entwicklung und Herstellung von MEMS-Komponenten...

Aktuelles

 

22.10.2018

electronica 2018

Auf der electronica 2018 präsentiert das Fraunhofer ISIT auf dem Gemeinschafsstand der Fraunhofer-Gesellschaft in Halle C5 aktuelle Forschungsergebnisse. Vorgestellt werden hocheffiziente GaN Bauelemente für die Leistungselektronik, extrem robusten Hochleistungsspeicher für die Elektromobilität, neue Chip-Mikrolautsprecher auf MEMS-Basis für In-Ear-Kopfhörer und MEMS-Mikroscanner für autonomes Fahren und Augmented Reality-Anwendungen.

 

18.10.2018

X-FAB errichtet Bürogebäude auf dem Fraunhofer-Campus

Das Unternehmen X-FAB, ein wichtiger strategischer Partner des Fraunhofer ISIT, baut direkt neben dem Institut ein neues Bürogebäude. Gestern war das Richtfest, zu dem Dr. Werner Riethmüller, Standortleiter von X-FAB in Itzehoe, die Nachbarunternehmen des High-Tech-Standortes eingeladen hatte.

 

12.7.2018

Bundestagsabgeordnete informierten sich über Entwicklungsarbeiten zu Speichertechnologien am Fraunhofer ISIT

Am 11.07.18 besuchte die Landesgruppe der CDU-Bundestagsabgeordneten im Rahmen ihrer Sommerreise das Fraunhofer ISIT. Mark Helfrich, MdB für den Kreis Steinburg, hatte eingeladen. Neben den allgemeinen ISIT-Aktivitäten waren für die Gäste vor allem die Forschungsarbeiten des Instituts zu dem Thema Speichertechnologien für die Energiewende und die Elektromobilität von besonderem Interesse.

 

9.7.2018

Erste pseudovertikale GaN-Diode auf 8-Zoll Epi-Material gefertigt

Basierend auf einem 8-Zoll PIN-GaN Epi-Material, gewachsen vom Fraunhofer IAF
auf Si, wurden erfolgreich die ersten GaN-Dioden gefertigt. Die Funktionalität wird
durch die Kennlinienmessung belegt. In der weiteren GaN Bauteile Entwicklung ist
der nächste Schritt die Realisierung von GaN-on Si Dioden.

 

Der Jahresbericht 2017 zum Download

Hier finden Sie den Jahresbericht 2017 als PDF.

 

Die Institutsprospekte zum Download

Hier finden Sie alle Institutsprospekte als PDF.

San Francisco, 02. – 07.02.2019

Photonics West 2019

Besuchen Sie uns auf der Photonics West 2019 in San Francisco.