Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie

Mikroelektronik und Mikrosystemtechnik in Itzehoe

Willkommen beim Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie ISIT, dem Spezialisten für die Entwicklung, Fertigung und Integration mikromechanischer und mikroelektronischer Bauelemente. Auf den folgenden Seiten finden Sie Informationen über unser Haus und über Möglichkeiten der Zusammenarbeit.

Leistungsangebot des Fraunhofer ISIT

Leistungselektronik

Entwicklung und Fertigung von innovativen aktiven und passiven Leistungshalbleiterbauelementen auf Basis von Silizium und Galliumnitrid.

Mikro-Fertigungsverfahren

Industrialisierung, Qualität und Zuverlässigkeit von einzelnen Reinraumprozessen, Prozessplattformen wie dem Wafer-Level Packaging, sowie Bauelementen.

MEMS-Anwendungen

Entwicklung von mikroelektromechanischen Systemen (MEMS): Der Fokus hier liegt auf Design, Entwicklung und Herstellung von MEMS-Komponenten.

Aktuelles

 

24.3.2021

ISIT-Wissenschaftler Dr. Simon Fichtner mit Hugo-Geiger-Preis ausgezeichnet

Alljährlich vergibt der Freistaat Bayern gemeinsam mit der Fraunhofer-Gesellschaft den Hugo-Geiger-Preis und ehrt damit junge Wissenschaftlerinnen und Wissenschaftler für herausragende Promotionsleistungen im Bereich der angewandten Forschung. 

 

MEMS cleanroom | 360° Grad Tour

Entdecken Sie virtuell unseren modernen Reinraum als 360° Grad Tour.

 

#LeistungselektronikBewegt

Vier Persönlickeiten. Vier Firmen. Ein Ziel. DIE ZUKUNFT GESTALTEN.

Weißt Du schon, wie du dein zukünftiges Berufsleben gestalten möchtest? Ich denke, wir können dir mit der Entscheidung helfen!

 

Webinare am ISIT

Die Webinare vom Fraunhofer ISIT bieten Ihnen einen interaktiven Einblick über aktuelle R&D Themen und Technologieanwendungen.

Aktuelle Forschungshighlights

 

Ferroelektrizität in AlScN: Neu entdeckte Materialeigenschaft verspricht große Entwicklungssprünge

Fraunhofer ISIT, Fraunhofer IAF und CAU Kiel erforschen gemeinsam die möglichen technischen Anwendungen für Mikrosysteme und Mikroelektronik

 

Entwicklung von GaN-Bauelementen für die Leistungselektronik

Das Fraunhofer ISIT entwickelt innovative Leistungsbauelemente auf der Basis von Gallium-Nitrid (GaN).GaN bietet gegenüber dem Silizium eine Reihe von Vorteilen für die Herstellung von Leistungsbauelementen. GaN-Leistungsschalter sind zentrale Elemente für leistungselektronische Module, z. B. Stromrichter in elektrisch betrieben Fahrzeugen oder in Photovoltaik- und Windenergieanlagen, und sie helfen diese Systeme deutlich leistungsfähiger und langlebiger zu machen.

 

Entwicklung von Lithium-Akkumulatoren

Fraunhofer ISIT präsentiert neben Akkus für speziellen kundenspezifische Anwendungen ein modulares Akku-System bestehend aus einer extrem robusten Hochleistungsbatterie (»Li-Booster«) und einer reaktionsschnellen und leistungsfesten Batterieelektronik. Solche Systeme finden Verwendung um z.B. in Elektromobilen für kurzzeitige leistungshungrige Fahrphasen zusätzliche Leistungsreserven vorzuhalten oder dienen in Stromnetzen der Netzstabilisierung.

 

MEMS-Lautsprecher für mobile Kommunikationsgeräte und In-Ear-Kopfhörer

Fraunhofer ISIT hat eine neue Generation von miniaturisierten Lautsprechern entwickelt, die mittels Siliziumtechnologie gefertigt werden. Im Gegensatz zu konventionellen elektrodynamischen Mikro-Lautsprechern basieren die neuen Chip-Lautsprecher auf leistungsfähigen piezo-elektrischen MEMS-Antrieben und zeichnen sich durch eine akustisch hohe Qualität, geringe Baugröße, günstige Fertigungskosten und niedrigen Energieverbrauch aus.

 

Jahresbericht 2019

Hier finden Sie den aktuellsten Jahresbericht.

 

Institutsprospekte

Hier finden Sie alle Institutsprospekte.