Einer der in den letzten Jahren industriell am häufigsten eingesetzten Prozesse zur Verkapselung von MEMS-Strukturen basiert auf Glaspasten, die im Siebdruckverfahren als hermetische Versiegelungsrahmen strukturiert werden. Der Prozess ist robust und im Prinzip mit einem Lötverfahren vergleichbar. Damit die Glaspaste bereits bei etwa 425°C schmelzen kann, enthält sie Bleioxide als Zusatzstoff. Eine etwas höher schmelzende (ca. 440°C) bleifreie Glaspaste steht jedoch als alternatives Materialsystem zur Verfügung um Schadstoffe in der Elektronikfertigung zu reduzieren. Die erforderlichen Rahmenbreiten liegen verfahrensbedingt bei ca. 200 µm und werden z.B. auf 300 µm breite Siliziumrahmen des Kappenwafers aufgebracht.