Anwendungsspezifische Hochvoltdioden für die Leistungselektronik
Anwendungsspezifische Halbleiter-Leistungsbauelemente ermöglichen „maßgeschneiderte“ Systemlösungen in unterschiedlichen Anwendungsbereichen wie beispielsweise in der Elektromobilität oder der Luft- und Raumfahrt.
Bei diesen Anwendungen kommt es auf die richtige Dimensionierung der Bauelemente an, beispielweise in Hinblick auf die optimale Wechselbeziehung zwischen Schalt- und Durchlassverlusten, die Robustheit, die Strahlenfestigkeit oder auf die Auslegung für spezielle Assemblierungsverfahren. Im Rahmen eines Entwicklungsprojektes für die Raumfahrt hat das ISIT eine schnellschaltende HV-Diode nach kundenspezifischem Anwendungsprofil entwickelt. Die Besonderheit der sogenannten „Fast Recovery Diode“ besteht neben hoher Effizienz und Robustheit auch in der Strahlenfestigkeit.
Zur Herstellung dieser Dioden haben die ISIT-Entwickler innovative technologische Prozesse, wie etwa die Laseraktivierung von Dotierstoffen, eingesetzt, welche zur Fertigung von „state of the art“ Leistungshalbleiterbauelementen am Standort Itzehoe verfügbar sind.
Im Rahmen seines Vortrages stellt Frank Dietz die aktuellen Forschungsergebnisse vor.
Zu dieser Veranstaltung im Fraunhofer ISIT, Fraunhoferstr. 1, 25524 Itzehoe am 13.12.2016 um 17:00 Uhr sind Gäste herzlich willkommen. Wir freuen uns auf zahlreiche Teilnehmer.