Hocheffiziente Leistungstransistoren

From Planar to Vertical: Custom Solutions for Advanced Si- and GaN-based Power Electronics

Das Fraunhofer ISIT unterstützt die kontinuierliche Miniaturisierung von Leistungselektronik-Applikationen bei gleichzeitig erhöhter Leistungsdichte auf System- und Bauelementeebene und bietet die Entwicklung von Bauelementen wie anwendungsspezifische PowerMOS-Transistoren auf Siliziumbasis, IGBTs und Dioden mit Sperrfähigkeiten bis 1200V sowie fortschrittliche Leistungstransistoren und Dioden auf Galliumnitridbasis mit hervorragenden elektrischen Eigenschaften und Schaltgeschwindigkeiten bis in den ns-Bereich.

Use Cases

 

Automotive power inverters for EV drives

 

Passive Bauelemente für hochfrequente Schaltnetzteile - Mikrospulen

 

Silicon Membrane Technology

zur polymerfreien Realisierung von Filterstrukturen

Unsere Lösung

Unser Portfolio

Si-Technologieplattform:

GaN-Technologieplattform:

  • Quasi-vertical GaN diodes
  • HEMTs
  • Vertical GaN transistors 

Unser Angebot

Anwendungsfelder

  • Automotive 
  • Regnerative Energien
  • Unterhaltungselektronik
  • Telekommunikation
  • Next-Gen Computing

Ihre Benefits

Ein besonderer F&E-Schwerpunkt ist das anwendungsspezifische Design der Bauelemente und die Entwicklung neuer Bauelementearchitekturen. Ein weiteres wichtiges Forschungsthema ist die Entwicklung von neuen Prozessen für fortschrittliche Leistungsbauelemente auf Wafer-Ebene. Für Galliumnitrid-Bauelemente entwickelt das ISIT auch Vorder- und Rückseiten Kontaktierungsmethoden für Bulk-GaN-Wafer und GaN-on-Si-Wafer. 

Für die Systemintegration passiver Bauelemente bietet das Fraunhofer ISIT die Entwicklung von Chip-Kondensatoren, Präzisionswiderständen und Induktivitäten sowie entsprechende Chip-Level-Schaltungen an. Am ISIT wird die komplette Entwicklungskette von der Simulation und dem Design über die Entwicklung von Einzelprozessen bis hin zu kompletten Prozesslinien auf 8"-Fertigungsanlagen und zahlreichen Charakterisierungswerkzeugen angeboten.

© Fraunhofer ISIT/ Eric Shambroom Photography 2020
© Fraunhofer ISIT/ photocompany Itzehoe
© Fraunhofer ISIT/ Eric Shambroom Photography 2020