Dabei wurde das gezielte Polarisations Schalten des ferroelektrischen AlScN in Silizium-basierten Transistoren demonstriert. Diese Leistung stellt einen wichtigen Proof of Concept dar und unterstreicht das Potenzial des neuartigen Ansatzes indem er die Lücke zwischen Materialforschung und ersten Geräten überbrückt. Zu diesem Zweck und basierend auf Prozess- und Bauelementesimulationen wurden verschiedene Transistordesigns auf die Bedürfnisse und Stärken des Materialsystems abgestimmt, dessen ferroelektrische Eigenschaften erst kürzlich von dem Geschäftsfeld MEMS-Anwendungen am Fraunhofer ISIT entdeckt wurden. 

Die Entwürfe wurden zu einem einheitlichen Bearbeitungsablauf zusammengefasst und in der ersten Iteration gefertigt. Die umfassende elektrische Charakterisierung dieser einzigartigen Bauelemente ist im Gange. Jedoch, basierend auf den ersten Ergebnissen ist der Weg zu weiteren Verbesserungen der Bauelemente-Architektur bereits aufgezeigt. Neben der kontinuierlichen Integration in Silizium-basierte Transistoren, wurde eine ausgeklügelte Roadmap zur engen Einbindung von AlScN in die kürzlich hinzugekommene GaN-Technologie Plattform.