Fraunhofer-Institut für Siliziumtechnologie
Basierend auf einem 8-Zoll PIN-GaN Epi-Material, gewachsen vom Fraunhofer IAF
auf Si, wurden erfolgreich die ersten GaN-Dioden gefertigt. Die Funktionalität wird
durch die Kennlinienmessung belegt. In der weiteren GaN Bauteile Entwicklung ist
der nächste Schritt die Realisierung von GaN-on Si Dioden.
